2N7002LT1H onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

2N7002LT1H ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

MFR ที่แนะนำ

2N7002LT1G

onsemi

มีอยู่ในสต็อค: 669,002

ราคาต่อหน่วย : ฿7.81000

เอกสารข้อมูล

Similar

2N7002H-7

Diodes Incorporated

มีอยู่ในสต็อค: 154

ราคาต่อหน่วย : ฿7.81000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

2N7002LT1H
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2N7002LT1H-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	2N7002LT1H
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	2N7002LT1H รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (สูงสุด) ±20V
Mfr onsemi	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 50 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 225mW (Ta)
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 115mA (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3 (TO-236)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน 2N7002
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA