2SJ652-1E onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

2SJ652-1E
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2SJ652-1EOS-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	2SJ652-1E
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) ทรูโฮล TO-220F-3SG
โมเดล EDA/CAD	2SJ652-1E รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	28A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	38mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4360 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2W (Ta), 30W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220F-3SG
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3 ชุดเต็ม
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	2SJ652