FDG6320C onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FDG6320C
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDG6320CTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDG6320C
คำอธิบาย	MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 25V 220mA, 140mA 300mW ติดบนพื้นผิว SC-88 (SC-70-6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	N และ P-ช่องสัญญาณ
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	25V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	220mA, 140mA
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	9.5pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด	300mW
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-88 (SC-70-6)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FDG6320