MMBF2202PT1G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

MMBF2202PT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MMBF2202PT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MMBF2202PT1G
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 20V 300MA SC70-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 20 V 300mA (Ta) 150mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SC-70-3 (SOT323)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MMBF2202PT1G รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	2.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	50 pF @ 5 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	150mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-70-3 (SOT323)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-70, SOT-323
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MMBF22