MSB709-RT1G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

MSB709-RT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MSB709-RT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MSB709-RT1G
คำอธิบาย	TRANS PNP 45V 0.1A SC-59
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) PNP 45 V 100 mA 200 mW ติดบนพื้นผิว SC-59
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MSB709-RT1G รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้วเดี่ยว
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	45 V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	500mV @ 10mA, 100mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100nA
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	210 @ 2mA, 10V
พลังงาน - สูงสุด	200 mW
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-59
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MSB70