NRVUS160VT3G-GA01 onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NRVUS160VT3G-GA01
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NRVUS160VT3G-GA01TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NRVUS160VT3G-GA01
คำอธิบาย	DIODE STANDARD 600V 2A SMB
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 600 V 2A ติดบนพื้นผิว SMB
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	2A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	1.25 V @ 1 A
ความเร็ว	คืนสภาพเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	75 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	5 µA @ 600 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	-
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	DO-214AA, SMB
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SMB
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-65°C ~ 175°C