NSVBC849BLT1G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NSVBC849BLT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NSVBC849BLT1G-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSVBC849BLT1G
คำอธิบาย	TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) NPN 30 V 100 mA 100MHz 300 mW ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSVBC849BLT1G รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้วเดี่ยว
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	30 V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	15nA (ICBO)
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
พลังงาน - สูงสุด	300 mW
ความถี่ - การเปลี่ยน	100MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23-3 (TO-236)