NSVEMD4DXV6T1G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NSVEMD4DXV6T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NSVEMD4DXV6T1GTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSVEMD4DXV6T1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 357mW ติดบนพื้นผิว SOT-563
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	EMD
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่)
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50V
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	47kOhm
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	47kOhm
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
พลังงาน - สูงสุด	357mW
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-563, SOT-666
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-563
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	EMD4