NVATS68301PZT4G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NVATS68301PZT4G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NVATS68301PZT4G-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVATS68301PZT4G
คำอธิบาย	MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 100 V 31A (Ta) 84W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NVATS68301PZT4G รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	31A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	75mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2850 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	84W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NVATS68301