HAT2175H-EL-E Renesas Electronics Corporation | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

HAT2175H-EL-E
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	HAT2175H-EL-E-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	HAT2175H-EL-E
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 15A (Ta) 15W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	HAT2175H-EL-E รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	การซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	15A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	8V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	42mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1445 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	15W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	LFPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-100, SOT-669
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	HAT2175