


S3M0040120J | |
---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 1655-S3M0040120J-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | S3M0040120J |
คำอธิบาย | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 12 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 1200 V 76A (Tc) 600W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7 |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | - | |
บรรจุภัณฑ์ | ท่อ | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 1200 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 18V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 40A, 18V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 16mA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 143 nC @ 18 V | |
Vgs (สูงสุด) | +20V, -8V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 2844 pF @ 1000 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 600W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | TO-263-7 | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส |
จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
---|---|---|
1 | $11.33000 | $11.33 |
50 | $6.36580 | $318.29 |
100 | $5.88820 | $588.82 |
500 | $5.41938 | $2,709.69 |