STP20N60M2-EP STMicroelectronics | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

STP20N60M2-EP
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	STP20N60M2-EP-ND
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STP20N60M2-EP
คำอธิบาย	MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) ทรูโฮล TO-220
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STP20N60M2-EP รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
ชุด	MDmesh™ M2-EP
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	13A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Vgs (สูงสุด)	±25V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	110W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	STP20