MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

MT3S20P(TE12L,F)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MT3S20P(TE12LF)TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MT3S20P(TE12L,F)
คำอธิบาย	RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	rf ทรานซิสเตอร์ NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W ติดบนพื้นผิว PW-MINI

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้ว RF
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	12V
ความถี่ - การเปลี่ยน	7GHz
ค่าสัญญาณรบกวน (dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
อัตราการขยาย	16.5dB
พลังงาน - สูงสุด	1.8W
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	80mA
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-243AA
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PW-MINI
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MT3S20