RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

RN1418(TE85L,F)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RN1418(TE85LF)TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RN1418(TE85L,F)
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW ติดบนพื้นผิว S-Mini
โมเดล EDA/CAD	RN1418(TE85L,F) รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - พรีไบแอส
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50 V
รวมตัวต้านทานแล้ว	R1 และ R2
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	47 kOhms
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	10 kOhms
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน	250 MHz
พลังงาน - สูงสุด	200 mW
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	S-Mini
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RN1418