RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

RN1902T5LFT
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RN1902T5LFTTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RN1902T5LFT
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 2 NPN - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 250MHz 200mW ติดบนพื้นผิว US6
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	2 NPN - พรีไบแอส (คู่)
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50V
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	10kOhm
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	10kOhm
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100nA (ICBO)
ความถี่ - การเปลี่ยน	250MHz
พลังงาน - สูงสุด	200mW
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	US6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RN1902