RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

RN1910FE(T5L,F,T)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RN1910FE(T5LFT)TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RN1910FE(T5L,F,T)
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 2 NPN - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 250MHz 100mW ติดบนพื้นผิว ES6
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RN1910FE(T5L,F,T) รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	2 NPN - พรีไบแอส (คู่)
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50V
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	4.7kOhm
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	-
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100nA (ICBO)
ความถี่ - การเปลี่ยน	250MHz
พลังงาน - สูงสุด	100mW
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-563, SOT-666
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	ES6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RN1910