TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

TK16J60W,S1VQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TK16J60WS1VQ-ND
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TK16J60W,S1VQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) ทรูโฮล TO-3P(N)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TK16J60W,S1VQ รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	DTMOSIV
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	15.8A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.7V @ 790µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1350 pF @ 300 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	130W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-3P(N)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-3P-3, SC-65-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TK16J60