SI7478DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SI7478DP-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI7478DP-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI7478DP-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	15A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.9W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerPAK® SO-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PowerPAK® SO-8
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI7478