Microchip Technology

mSiC™ Discrete MOSFET Series

Microchip high-voltage silicon carbide MOSFETs are ideal for rugged and efficient power conversion

Image of Microchip mSiC™ Discrete MOSFET SeriesThe Microchip mSiC™ MOSFET series is designed for medium- to high-voltage power systems requiring high efficiency, a compact size, and robust reliability. These devices leverage silicon carbide technology to minimize conduction and switching losses, enabling higher switching frequencies and reducing thermal management complexity compared to silicon MOSFETs and IGBTs.

The series spans voltage ratings from 700 V to 3,300 V and supports junction temperatures up to +175°C. All families share core attributes like avalanche ruggedness, short-circuit withstand capability, and stable body diode performance. However, the MA, MB, and MC families offer distinct optimizations for different design priorities, from cost-sensitive industrial systems to high-performance automotive and renewable applications.

MA Series Features
  • Targets ultra-high-voltage applications (up to 3,300 V)
  • Optimized for minimal RDS(ON) at high gate drive voltages (18 V to 20 V)
  • Ideal for grid infrastructures, traction drives, and aerospace systems
MB Series Features
  • Broad industrial and automotive coverage (typically 1,200 V to 1,700 V)
  • Recommended gate drive: +18 V (on) and -5 V (off)
  • Balances efficiency and cost for motor drives, EV chargers, and renewable inverters
MC Series Features
  • Similar voltage range to MB but integrates a gate resistor for improved switching stability
  • Reduces external component count and simplifies layout for high-frequency designs
  • Preferred for compact converters and systems requiring low EMI
Features
  • Low RDS(ON) across temperature range for high efficiency
  • Avalanche ruggedness and short-circuit capability for fault tolerance
  • Fast switching with low gate charge for high-frequency operation
  • Voltage range: 700 V to 3,300 V
  • High-temperature operation up to +175°C
Applications
  • Industrial motor drives and power conversion systems
  • Renewable energy inverters (solar and wind)
  • EV chargers and hybrid powertrains
  • Smart grid transmission and distribution equipment
  • High-voltage power supplies and welding systems

MA Series MOSFETs

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24MSC180SMA120B4NMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24150 - Immediate$200.85ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-MSC090SMA070SDT/RMMOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-200 - Immediate$241.48ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-MSC035SMA170B4MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-328 - Immediate$1,358.50ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227MSC025SMA120JSICFET N-CH 1.2KV 77A SOT2271950 - Immediate$1,858.35ดูรายละเอียด
MOSFET N-CH 700V TO247MSC035SMA070BMOSFET N-CH 700V TO247144 - Immediate$342.55ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 53A SOT227MSC040SMA120JSICFET N-CH 1200V 53A SOT227741 - Immediate$1,324.05ดูรายละเอียด
MOSFET 1200V 25A TO-247MSC180SMA120BMOSFET 1200V 25A TO-247121 - Immediate$282.43ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26MSC180SMA120SMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26174 - Immediate$312.65ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4MSC040SMA120B4SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4128 - Immediate$567.78ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3154 - Immediate$1,304.23ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268MSC040SMA120S/TRMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268385 - Immediate$847.60ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAKMSC025SMA120SSICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK127 - Immediate$1,334.45ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMTMSC090SMA070SCT/RMOSFET SIC 700 V 90 MOHM PSMT1300 - Immediate$144.63ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-MSC090SMA070SDT/RMOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-775 - Immediate$144.63ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26MSC180SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26773 - Immediate$221.65ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM PSMTMSC080SMA120SCT/RMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM PSMT1210 - Immediate$369.20ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263MSC080SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263797 - Immediate$369.20ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3MSC080SMA120BSICFET N-CH 1200V 37A TO247-376 - Immediate$416.00ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247MSC035SMA170BMOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-24752 - Immediate$1,318.53ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268MSC035SMA170SMOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-26823 - Immediate$1,348.75ดูรายละเอียด

MB Series MOSFETs

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-247MSC060SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-247120 - Immediate$237.58ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 45 MOHM TO-247MSC045SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 45 MOHM TO-247120 - Immediate$288.60ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247MSC040SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247120 - Immediate$310.38ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247MSC030SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247120 - Immediate$379.28ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 25 MOHM TO-247MSC025SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 25 MOHM TO-247118 - Immediate$441.68ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263MSC080SMB120SDT/RMMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-2630 - Immediate$138.78ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, 16LDMSC020SMB120SCT/RMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, 16LD0 - Immediate$419.25ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, QDPAKMSC020SMB120QT/RMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, QDPAK0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM, QDPAKMSC040SMB120QT/RMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM, QDPAK0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM, QDPAKMSC030SMB120QT/RMOSFET SIC 1200 V 30 MOHM, QDPAK0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-247MSC080SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-247120 - Immediate$204.10ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM TO-247MSC020SMB120B4NMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM TO-247120 - Immediate$533.65ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM, 7LD TMSC080SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM, 7LD T0 - Immediate$138.78ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, 7LD TMSC020SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM, 7LD T0 - Immediate$403.65ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM DIEMSC020SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM DIE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 45 MOHM DIEMSC045SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 45 MOHM DIE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM DIEMSC030SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 30 MOHM DIE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIEMSC080SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM DIEMSC060SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 60 MOHM DIE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIEMSC040SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด

MC Series MOSFETs

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 31 MOHM TO-247MSC031SMC120B4NMOSFET SIC 1200 V 31 MOHM TO-2470 - Immediate$464.75ดูรายละเอียด
MOSFET SIC 1200 V 31 MOHM DIEMSC031SMC120D/SMOSFET SIC 1200 V 31 MOHM DIE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
Published: 2025-12-03

Related Product Highlight

High-Voltage Auxiliary E-Fuse Reference Design Microchip's auxiliary E-Fuse technology has risk reduction through reliability and accelerated development.
ผลิตภัณฑ์กึ่งตัวนำซิลิกอนคาร์ไบด์แบบแยกส่วน ผลิตภัณฑ์กึ่งตัวนำซิลิกอนคาร์ไบด์แบบแยกส่วนจาก Microchip Technology นำเสนอประสิทธิภาพของระบบที่ดีขึ้น ฟอร์มแฟคเตอร์ที่เล็กลง และอุณหภูมิในการทำงานที่สูงขึ้น

Related Articles and Blogs

Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency of High-performance Switching Converters Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency
สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างกำลังพลิกโฉมอุตสาหกรรมการขนส่ง อุตสาหกรรมการขนส่งทั้งหมดกำลังอยู่ระหว่างการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ด้วยโซลูชั่นสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด และการขนส่งมวลชนที่สะอาดขึ้น
สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างในการใช้งานด้านการบินและอวกาศและดาวเทียม สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างมีข้อดีหลายประการในการแปลงพลังงาน เช่น ความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานที่เพิ่มขึ้น และลดขนาดและน้ำหนักของระบบ