IRFB4610PBF Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IRFB4610PBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IRFB4610PBF-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFB4610PBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) ทรูโฮล TO-220AB
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	73A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	14mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 100µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3550 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	190W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220AB
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRFB4610