RFD3055LE onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

RFD3055LE
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RFD3055LE-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RFD3055LE
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) ทรูโฮล IPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	11A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	107mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	350 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	38W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	IPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-251-3 สายสั้น, IPAK, TO-251AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RFD3055