IRF7410PBF Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IRF7410PBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF7410PBF-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF7410PBF
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	12 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	16A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	1.8V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	900mV @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	91 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±8V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	8676 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SOIC
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)