IXFN30N120P มีจัดจำหน่ายแต่โดยปกติแล้วจะไม่มีสต็อก
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar


Microchip Technology
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿1,636.37500
เอกสารข้อมูล
238~SOT227B~~4
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXFN30N120P

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
IXFN30N120P-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IXFN30N120P
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
50 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 1200 V 30A (Tc) 890W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี SOT-227B
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
6.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
19000 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
890W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
SOT-227B
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

พร้อมสำหรับการสั่งซื้อ
ตรวจสอบเวลาส่งสินค้า
สินค้านี้ไม่มีอยู่ในสต็อกที่ DigiKey ระยะเวลาการจัดส่งที่แสดงจะใช้กับการจัดส่งจากผู้ผลิตไปยัง DigiKey เมื่อได้รับสินค้า DigiKey จะจัดส่งเพื่อตอบสนองคำสั่งซื้อที่เปิดอยู่
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
300฿1,538.78617฿461,635.85
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน