IXFN55N120SK IXYS | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IXFN55N120SK
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXFN55N120SK-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXFN55N120SK
คำอธิบาย	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 54A (Tc) ติดตั้งบนแชสซี SOT-227B
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	IXYS
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	54A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	15V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	42mOhm @ 40A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.6V @ 12mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (สูงสุด)	+15V, -4V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3360 pF @ 1000 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-227B
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-227-4, miniBLOC