IXFX21N100Q IXYS | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IXFX21N100Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IXFX21N100Q-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXFX21N100Q
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1000 V 21A (Tc) 500W (Tc) ทรูโฮล PLUS247™-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	IXYS
ชุด	HiPerFET™, Q Class
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1000 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	21A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5.5V @ 4mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6900 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	500W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PLUS247™-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3 รูปแบบ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IXFX21