IXFX30N100Q2 IXYS | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IXFX30N100Q2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IXFX30N100Q2-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXFX30N100Q2
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1000 V 30A (Tc) 735W (Tc) ทรูโฮล PLUS247™-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	IXYS
ชุด	HiPerFET™, Q2 Class
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1000 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	30A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	400mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 8mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	8200 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	735W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PLUS247™-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3 รูปแบบ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IXFX30