IXTA110N055T7 IXYS | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IXTA110N055T7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IXTA110N055T7-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTA110N055T7
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 55 V 110A (Tc) 230W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7 (IXTA)

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	IXYS
ชุด	Trench
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	55 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	110A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 100µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3080 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	230W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263-7 (IXTA)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-7, D2PAK (6 ตัวนำ + แท็บ)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IXTA110