APT47N65BC3G Microsemi Corporation | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

APT47N65BC3G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	150-APT47N65BC3G-ND
ผู้ผลิต	Microsemi Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	APT47N65BC3G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 47A TO247
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) ทรูโฮล TO-247 [B]
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Microsemi Corporation
ชุด	CoolMOS™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	47A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	70mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 2.7mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	7015 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	417W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247 [B]
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	APT47N65