APT58MJ50J Microsemi Corporation | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

APT58MJ50J
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	150-APT58MJ50J-ND
ผู้ผลิต	Microsemi Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	APT58MJ50J
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 500 V 58A (Tc) 540W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี ISOTOP®
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Microsemi Corporation
ชุด	POWER MOS 8™
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	500 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	58A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	65mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 2.5mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	340 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	13500 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	540W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	ISOTOP®
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-227-4, miniBLOC
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	APT58MJ50