NC1M120C75HTNG NovuSem | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NC1M120C75HTNG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	3372-NC1M120C75HTNG-ND
ผู้ผลิต	NovuSem
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NC1M120C75HTNG
คำอธิบาย	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) ทรูโฮล TO-247-4L
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	NovuSem
ชุด	NC1M
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	47A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	20V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	75mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.8V @ 5mA
Vgs (สูงสุด)	+20V, -5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1450 pF @ 1000 V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	288W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247-4L
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-4