NTMFS4H01NFT1G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NTMFS4H01NFT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NTMFS4H01NFT1G-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMFS4H01NFT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 25 V 54A (Ta), 334A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	25 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	54A (Ta), 334A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.1V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5538 pF @ 12 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.2W (Ta), 125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTMFS4