SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SCTH90N65G2V-7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-18352-2-ND - เทปและม้วน (TR) 497-18352-1-ND - เทปตัดขาย (CT) 497-18352-6-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SCTH90N65G2V-7
คำอธิบาย	SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) ติดบนพื้นผิว H2PAK-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SCTH90N65G2V-7 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	90A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	26mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3300 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	330W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	H2PAK-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SCTH90