SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SCTWA60N120G2-4
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-SCTWA60N120G2-4-ND
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SCTWA60N120G2-4
คำอธิบาย	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) ทรูโฮล TO-247-4
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SCTWA60N120G2-4 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	60A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1969 pF @ 800 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	388W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 200°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247-4
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-4