SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SI2343DS-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI2343DS-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI2343DS-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI2343DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI2343DS-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	53mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	540 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	750mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23-3 (TO-236)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI2343