IRL6372PBF Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IRL6372PBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRL6372PBF-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRL6372PBF
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 8.1A 2W ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	8.1A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.1V @ 10µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11nC @ 4.5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1020pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด	2W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SO
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRL6372