SCT10N120 STMicroelectronics | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SCT10N120
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-16597-5-ND
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SCT10N120
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) ทรูโฮล HiP247™
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SCT10N120 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	12A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	20V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	690mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	22 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)	+25V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	290 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 200°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	HiP247™
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SCT10